Jihokorejský elektronický gigant Samsung oznámil, že dokončil vývoj první paměti modulu DRAM DDR4. Nová technologie výroby pamětí si klade za cíl nabídnout dvojnásobek výkonu stávajících DDR3 pamětí s poloviční energetickou náročností. Energetická úspora je důležitá zejména pro aplikace paměti v mobilních přístrojích. Zcela nový modul DDR4 DRAM byl vyvinut s použitím 30nm technologie a dokáže pracovat s rychlostí přenosu až 2,113 Gb za sekundu při napájení 1,2 V. V praxi to bude znamenat mnohem vyšší výkon při menší spotřebě elektrické energie. Přenosová rychlost současných DDR3 modulů je 1,6 Gb za sekundu při napájení 1,35 nebo 1,5 V.
Kromě pamětí Samsung uvádí na trh zcela nové externí USB disky s podporou vysokorychlostního rozhraní USB 3.0. Jedná se o tři stylové modely pevných disků, které nabízejí přenosovou rychlost až 5 Gb za sekundu. Tato rychlost je dosažitelná za předpokladu, že uživatel disponuje tímto novým USB rozhraním. V případě standardního USB 2.0 je přenosová rychlost eliminována na maximum tohoto rozhraní. Disky jsou nabízeny v kapacitách 1, 1,5 a 2 TB. Samsung je distribuuje ve dvou barevných kombinacích a to v černé barvě a dále ve verzi slonová kost.
Zdroj: DT
